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        首頁 > 論文 > 光學學報 > 39卷 > 12期(pp:1222001)

        光學系統像差對EUV光刻成像特征尺寸影響研究

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        摘要

        13.5nm波長的極紫外(EUV)光刻機作為最有潛力的下一代光刻設備,較傳統193浸沒式光刻機,雖然分辨率大大提高,但因波長減小使得設備對像差的容忍度降低,有必要研究像差對EUV光刻成像的影響,針對四類典型的像差的波前特征,選取了對像差最敏感的四種測試圖形,研究像差對光刻成像特征尺寸(CD)和最佳聚焦點(best focus)偏差量的影響。在滿足焦深(depth of focus,簡稱DOF)要求的條件下,給出各單類像差的最大允許范圍,最后,將四類像差總值控制在40mλ內,從仿真分析的角度研究了實際工藝生產對像差的要求,即總像差需控制在25mλ以內,約3.375nm。

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        補充資料

        DOI:10.3788/aos201939.1222001

        作者單位:

            中國科學院微電子研究所
            本所(聯合室)
            北京理工大學
            中國科學院微電子研究所

        引用該論文

        明瑞鋒,蔣運濤,董立松,韋亞. 光學系統像差對EUV光刻成像特征尺寸影響研究[J].光學學報,2019,39(12):1222001.

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